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发布于：2024-11-07 作者：admin 阅读：76

在不断追求减小电路板尺寸和提高效率的征途中，氮化镓场效应晶体管()功率器件已成为破解目前难题的理想选择。GaN是一项新兴技术，有望进一步提高功率、开关速度以及降低开关损耗。这些优势让功率密度更高的解决方案成为可能。当前市场上充斥着大量不同的Si 驱动器，而新的GaN驱动器和内置GaN驱动器的控制器还需要几年才能面世。除了简单的专用驱动器（如 )外，市场上还存在针对GaN的复杂降压和升压控制器（如, )。目前的四开关降压-升压解决方案仍有些复杂，但驱动并不像看起来那么困难。利用一些简单的背景知识，可以通过调整针对Si 的控制器来驱动。是一个很好的选择。这是一款专业的2 MHz降压-升压控制器，死区时间(25 ns)非常短，参见图1。该降压-升压方案的检测电阻与电感串联，且位

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